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[新闻]扩展摩尔定律 IBM详述3D芯片堆叠技术
2007年04月16日
【文章简介】
扩展摩尔定律 IBM详述3D芯片堆叠技术…… (525 字)
日前，IBM公司详述了在3D芯片堆叠技术方面获得的突破性进展，它能够在封装过程中令芯片组件贴得更加紧密，藉此提供更快、更微型化和更节能的系统。IBM表示，这项技术将突破人们预计的摩尔定律的限制。小熊在线www.beareyes.com.cn
3D芯片堆叠技术是将传统上并排排列在硅晶圆上的芯片与内存设备上下堆叠在一起，其结果是大幅缩减了整体芯片的封装尺寸，提高了芯片数据流速度。小熊在线www.beareyes.com.cn
3D芯片堆叠并非新技术，三星、NEC、尔必达和Oki等厂商均在开发基于该技术的内存。IBM的突破在于不再需要连接芯片的长金属导线，而是在硅晶圆上蚀刻了穿透硅通道（through-silicon
vias）并填充金属材料，从而提供垂直连接。这些通道使得多个芯片堆叠在一起，允许更大量的信息通过。该技术令信息在芯片之间的传输距离缩短了1000倍。小熊在线www.beareyes.com.cn
IBM半导体研究与开发中心副总裁Lisa
Su表示，“这项突破是IBM十多年来开创性研究的成果，它令我们将3D芯片从实验室带入晶圆厂，并付诸于多项应用。”
穿透硅通道技术首先将被应用于无线通讯芯片，如无线局域网功率放大器和手机芯片。3D技术还将被应用在更加宽泛的领域，包括那些现在运行于IBM服务器和超级计算机的芯片。小熊在线www.beareyes.com.cn
IBM表示，在其生产线上已经开始运行基于穿透硅通道技术的芯片，并表示将在今年下半年使用该技术生产芯片样本，而实现量产则要等到2008年。小熊在线www.beareyes.com.cn
【转载】【作者：小熊在线-layla 武汉】
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